等離子去膠機的核心原理是利用高頻電磁場激發氣體分子，形成由離子、電子和活性自由基組成的等離子體。這種等離子體具有雙重作用：一是物理轟擊，高速離子撞擊膠層表面，使其分子鏈斷裂并剝離；二是化學刻蝕，活性自由基(如氧自由基、氟自由基)與膠層中的有機成分發生反應，生成揮發性氣體(如二氧化碳、水蒸氣或氟化物)，被真空系統抽離。例如，在去除正性光刻膠時，氧自由基會與膠層中的碳氫鍵反應，生成可揮發的二氧化碳和水；而在處理含氟臨時鍵合膠時，氟自由基則能直接切斷膠層分子鏈，實現快速剝離。
 

　　濕法化學去膠需使用有機溶劑或強酸堿，可能腐蝕基底材料或引入金屬離子污染。例如，某芯片廠曾因使用硫酸-雙氧水混合液去膠，導致鋁互連線被腐蝕，良率下降15%；而等離子去膠無需液體介質，避免了化學腐蝕風險。干法刻蝕去膠雖能實現高精度，但設備成本高且可能損傷基底表面。
 

　　此外，等離子去膠的低溫特性使其適用于熱敏感材料。柔性電子器件、生物芯片或有機半導體材料的基底通常不耐高溫，傳統高溫去膠可能導致材料變形或性能退化，而等離子去膠可在室溫至80℃的低溫下完成，確保材料性能不受影響。例如，某可穿戴設備廠商使用等離子去膠處理柔性電路板上的光刻膠，發現其導電性能與機械強度均未受影響，且去膠效率提升了40%。
 

　　等離子去膠機的操作流程通常包括設備準備、晶圓裝載、工藝參數設置與去膠效果驗證四個步驟。設備準備階段需檢查真空系統、氣體供應與射頻電源是否正常；晶圓裝載時需確保其與電極間距均勻，避免局部去膠不徹底。工藝參數設置是影響去膠效果的關鍵，氣體種類、流量、射頻功率與處理時間需根據膠層類型與基底材料調整。例如，去除正性光刻膠時通常選擇氧氣或氬氣混合氣體，而去除含硅光刻膠則需加入六氟化硫(SF6)以增強刻蝕速率。
 

　　此外，處理時間需平衡去膠效率與基底耐受性，避免過度去膠導致基底損傷，去膠效果驗證需結合多種方法。光學顯微鏡可初步觀察表面殘留情況，但無法檢測納米級膠層；橢偏儀或膜厚儀能定量測量膠層厚度變化，確認去膠是否徹底；X射線光電子能譜(XPS)則可分析表面元素組成，驗證膠層是否轉化為揮發性氣體。